AM3021、氧化铟制备及应用专利文献集(价格为200元/套)
信息价格:200元/套
附件清单:CD光盘一张
邮寄费用:20元(特快专递)。
服务热线:0523-85881177,88215607
友情提醒:汇款后请尽快将您的姓名,电话,地址,项目名称用手机短信发至:13901421436。以便我们能够当天办理快递。
收录氧化铟制备及应用专利原文14项1、纳米氮化铟粉体的制备方法2、纳米氢氧化铟用于生产碱性电池的工艺3、锡掺杂的氧化铟薄膜及微细图形制备工艺4、氧化铜-氧化铟复合纳米晶材料的制备方法5、氧化铟薄膜材料及制备方法6、氧化铟膜的形成方法,具有氧化铟膜的衬底及半导体元件7、氧化铟锡粉末的制备方法8、氧化铟中固溶锡的ITO粉末制造方法以及ITO靶的制造方法9、一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法10、以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法11、银氧化锡氧化铟电触点用线材及其生产工艺12、在红外波段具有低发射率的氧化铟锡粉末及其制备方法13、增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法14、制造氧化铟氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品收录氧化铟制备及应用期刊文献53项1、In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制2、In_2O_3SnITO薄膜的光学特性研究3、In_2O_3还原挥发的热力学计算4、In_2O_3基气体传感器研究现状5、In_2O_3基热线型气敏元件的研制6、In_2O_3纳米材料的制备及其气敏特性的研究7、In_2o_3热线型乙醇气敏元件研究8、ITO 膜的制备方法和 TD_360 型立式 ITO 透明导电膜生产线9、ITO 膜发展现状及工艺技术分析10、ITO表面处理方法11、ITO薄膜的光学和电学性质及其应用12、彩色膜上ITO的室温沉积及其在FPD中的应用13、掺杂SO_4~2_对In_2O_3电导和气敏性能的影响14、超声辐射溶胶_凝胶法制备纳米In_2O_3气敏材料15、超细氧化铟粉的研制16、超细氧化铟-氧化锡ITO复合粉末的研制与结构特性17、臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用18、磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究19、代汞缓蚀剂In_2O_3纳米粉体20、代汞缓蚀剂用In_2O_3纳米粉体的研究21、单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成22、等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质23、对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究24、高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究25、高迁移率透明导电In_2O_3Mo薄膜26、共沸蒸馏法制备氧化铟粉体及性能研究27、浸渍_涂布法制备In_2O_3薄膜28、纳米氧化铟粉体的形貌与结构研究29、纳米氧化铟粉体的制备及其在碱性锌锰电池中的应用30、纳米氧化铟锡表面改性研究31、纳米氧化铟锡掺杂的有机玻璃电导率及复介电常数的研究32、纳米氧化铟锡透明隔热涂料的制备及性能表征33、热处理对制备纳米氧化铟锡ITO粉末的影响34、溶胶凝胶法制备的ITO薄膜电学及光学性能的研究35、溶胶-凝胶法制备的纳米In_2O_3气敏性能研究36、透明导电氧化物薄膜研究现状与产业化进展37、透明导电氧化铟锡薄膜的特殊应用38、新材料ITO薄膜的应用和发展39、氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究40、氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算41、氧化铟掺杂对 ZnFe_2O_4 半导体气敏性能的影响42、氧化铟的利备及制备条件对其结构与性质的影响43、氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响44、氧化铟纳米粉的低温制备45、氧化铟纳米粉体的微乳液合成及其气敏特性46、氧化铟气敏材料的制备与特性47、氧化铟锡ITO膜的光学及电学性能48、氧化铟锡靶与铟的润湿性研究49、氧化铟锡薄膜材料开发现状与前景50、氧化铟锡薄膜隔热效果的计算与分析51、氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用52、用幕墙玻璃镀膜生产线大面积制备ITO膜53、制备工艺对纳米级铟锡氧化物ITO形貌和电性能的影响
购买说明 → 热线电话:0523-85881177
- 工商银行
- 开 户:中国工商银行姜堰支行
卡 号:9558 8211 1500 0188129
收 款:王建国
- 农业银行
- 开 户:中国农业银行姜堰支行
卡 号:95599 8342 81076 74012
收 款:王建国
- 邮局汇款
- 地 址:江苏省姜堰市北大街100号
江苏省姜堰市星火技术开发公司
邮 编:225500 收 款:王建国
- 联系电话
- 电 话:
0523-85881177 88215607 88224071传真
短信:13901421436
注意:汇款后立即将你的地址及技术资料名称、编号发至该手机,以便及时发货
栏目导航